Autorius | Žinutė |
2011-04-27 21:13 #192235 | |
Ši tema skiriama tik INTC (http://www.google.com/finance?q=INTC) akcijai.
Moderuojama, žinutės ne į temą, pasvarstymai apie prekybos strategijų privalumus ir trūkumus, bus trinami be ilgų diskusijų. Temos tikslas - koncentruoti informaciją apie INTC vienoje vietoje, taip išlaikant šią informaciją prieinamą ilgesniam laikui. |
|
2011-04-27 21:18 #192237 | |
Labai long term į šitą akciją nesigilinsiu, nelabai dėkingas grafikas, bet dieninis vaizdas man pasirodė įdomus - ir vertas ištraukimui į atskirą sekciją.
Du pagrindiniai variantai - tuo pagrindu, kad žemyn buvo korekcija abc: a) nuo 6:c viršun penketukas, kuris sėkmingai buvo koreguotas - ir dabar prasidėjo kilimas, kuris turėtų būti kaip ir RP. b) alternatyvus variantas - kritimas abc tebuvo tik a of vėliava, šis kilimas suformuos c of b of vėliava ir po to laukia kritimas su vėliavos c. Long, su artimais stopais, griežtas SL 19.50, bet (b) atveju dar turėtų būti kritimas su ketvirta banga ir new-high, kas leistų pakelti stop'us ir išeiti su minimaliais nuostoliais. (a) atveju, RP, kilimas turi eiti nesustojant. |
|
2011-05-06 23:19 #194178 | |
|
|
2011-05-07 12:38 #194201 | |
„Intel“ paskelbė apie pasiektą technologinį proveržį – jai pavyko sukurti pirmuosius pasaulyje trimačius tranzistorius, pavadintus „Tri-Gate“, o taip pat ir technologiją jų pramoninei gamybai pradėti. „Intel“ teigimu, šis pasiekimas užtikrins, kad Mūro dėsnis, teigiantis, kad komponentų tankis mikroschemose dvigubėja maždaug kas dvejus metus, galios ir toliau. Beje, Mūro dėsnis jau veikia net 40 metų. Vadinamąja 22 nanometrų technologija gaminamos mikroschemos su šiais tranzistoriais sunaudos mažiau energijos bei bus tinkamos praktiškai visiems elektronikos prietaisams, nuo mobiliųjų telefonų iki galingų interneto serverių. Taigi pirmą kartą po silicio tranzistorių išradimo prieš 50 metų, kurių gamybai buvo naudojama vadinama planarinė, arba dvimatė technologija, kai metu puslaidininkinių komponentų sluoksnis buvo formuojamas plokštumoje, bus masiškai pradėti gaminti tranzistoriai, turintys trimatę struktūrą. Pirmą kartą „Intel“ apie trimačių tranzistorių kūrimą paskelbė dar 2002 metais, tačiau po to iki pat šio pranešimo žinių apie pasiekimus beveik nebuvo. Kitos inovatyvios kompanijos, pavyzdžiui, IBM, tai pat skelbėsi kuriančios trimates puslaidininkių struktūras, tačiau dabar panašu, kad „Intel“ ją gerokai aplenkė. Mokslininkai jau seniai pripažino, kad trimačiai puslaidininkiniai komponentai leistų toliau didinti komponentų tankį ir neatsilikti nuo Mūro dėsnio, nes dvimačiai puslaidininkiniai komponentai jau tapo tokie maži, kad sunku juos dar labiau sumažinti, kadangi vis labiau pasireiškia kvantiniai efektai. „Intel“ prezidentas Paul Otellini teigė neabejojantis, kad šis pasiekimas atvers duris kurti įvairiausiems naujos kartos elektronikos prietaisams. Tri-Gate tranzistoriai naudoja žemesnę įtampą ir yra 37 procentais efektyvesni lyginant su „Intel“ 32 nm technologija pagamintais įprastiniais, dvimačiais tranzistoriais, taip pat jie naudoja net dvigubai mažiau energijos. Paul Otellini teigimu, Tri-Gate tranzistoriai – tai tarsi iš naujo išrasti tranzistoriai. Jie gaminami ant silicio pagrindo sukuriant mikroskopinius vertikalius išsikišimus, kuriuose elektros srovė yra valdoma iš trijų pusių – dviejų šonų ir viršaus. Įprastiniuose tranzistoriuose srovė valdoma tik vienu elektrodu, esančiu ant plokščio tranzistoriaus viršaus. Naujasis būdas leidžia ypač efektyviai uždaryti tranzistorių, kad juo visiškai netekėtų srovė ir nebūtų energijos nuostolių, ir jį vėl labai greitai atverti. Kaip dangoraižiai leido miestų planuotojams efektyviau išnaudoti turimą erdvę, taip ir trimatė tranzistorių struktūra leis, juos dėstant vertikaliai, sutalpinti didesnį skaičių į tūrio vienetą. Informacija iš delfi, taigi dar reikėtų normaliai patikrinti - bet štai ir galimas kilimo paaiškinimas. Tik aš niekaip nepatikėsiu, kad technologija sukurta tik dabar... schemas jau seniai buvo galima sukurti, tik neapsimokėjo paleistu jų į gyvenimą, kol dar 2D sėkmingai tempė... |
|
2011-10-07 17:24 #220651 | |
Intelis įdomiai pozicionuojasi - valandiniame nuo dugno penketas į viršų, abc žemyn, dabar vėl mažas penketukas viršun. Long ant korekcijos, ~21.70, SL 20.50. TP turėtų būti daug daugiau už 24.30. |
|
2011-10-07 18:25 #220664 1 | |
varna2 [2011-05-07 12:38]: „Intel“ paskelbė apie pasiektą technologinį proveržį – jai pavyko sukurti pirmuosius pasaulyje trimačius tranzistorius, pavadintus „Tri-Gate“, o taip pat ir technologiją jų pramoninei gamybai pradėti. „Intel“ teigimu, šis pasiekimas užtikrins, kad Mūro dėsnis, teigiantis, kad komponentų tankis mikroschemose dvigubėja maždaug kas dvejus metus, galios ir toliau. Tai tokiu atveju Muro desnis turetu net "pagreiteti", nes veiksmas vyks trimateje erdveje. Grynai matematiskai reiketu ta "greiti" kelt laipsniu (3/2), bet kadangi visada egzistuoja silumos issklaidymo problema, tai gal ir neforsuos to Muro desnio. Informacija iš delfi, taigi dar reikėtų normaliai patikrinti - bet štai ir galimas kilimo paaiškinimas. Tik aš niekaip nepatikėsiu, kad technologija sukurta tik dabar... schemas jau seniai buvo galima sukurti, tik neapsimokėjo paleistu jų į gyvenimą, kol dar 2D sėkmingai tempė... Nepaleido i gyvenima matyt del to, kad nugalejo Intel Israel padalinio daugiabranduoline koncepcija, kuriai Otellini pradzioj labai priesinosi, bet galu gale nusileido, nes du branduoliai matyt buvo paprasciau, nei is principo nauja technologija. Is kitos puses islose laiko trimatei technologijai vystyti. |
Norėdami rašyti forume, turite užsiregistruoti, o jei jau registravotės- prisijungti.